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目前已经开发了许多种方法，入画包括配体交换，入画缺陷构造，模板法，超临界流体合成等，其中表面活性剂辅助的模板法由于其普适、易得性以及孔结构的可调性受到了广泛的青睐。研究方向：地描多孔配位聚合物复合材料、选择性催化、能源存储、柔性电子器件。

然而作者发现当MOF晶体生长由单体聚集控制时，绘小画卷胶束或聚合物的聚集体可以在晶体生长过程中轻松被捕获，绘小画卷同时由于非离子型胶束和聚集体与MOF的无强相互作用，这些捕获的聚集体在MOF的生长过程中就能成功逃脱，因此该过程无需采用脱模板过程就能制备高孔容的多级孔MOF。康新该成果以题为Crystal-growth-dominatedfabricationofmetal-organicframeworkswithorderlydistributedhierarchicalporosity发表在化学著名期刊Angew.Chem.Int.Ed上。采用该方法通常认为要具备两个先决条件：幸福小康1、表面活性剂要在溶液中形成稳定的胶束。

图三：入画HP-MOF的理化性质所制备产品的XRD图谱（A），TGA曲线（B），氮吸附-解吸等温线（C）和孔径分布（D）：a）Cu-BTC。地描三维纳米断层扫描的K）全视野和L）挑选的单个HP-Cu-BTC-3纳米颗粒。

然而由于MOF的合成母液几乎都是由具有双亲性的有机溶剂组成，绘小画卷导致大都数表面活性剂都很难在其中形成稳定的胶束，绘小画卷同时由于MOF前驱体的带电性，通常只有少数几种离子型或两性的表面活性剂被认为可以用于制备HP-MOF。

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